| 发明名称 | 聚合物底物的表面处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于在包括载气及还原性和/或氧化性气体的气体混合物中在基本等于常压的压力下使聚合物底物受到介电屏蔽放电的聚合物底物表面处理方法。本发明的特征在于它包括以下实施条件：当混合物包含氧化性气体时，该混合物中氧化性气体含量在50-2000ppmv的范围；当该混合物包含还原性气体时，该混合物中还原性气体含量在50-30000ppmv的范围。 | ||
| 申请公布号 | CN1187397C | 申请公布日期 | 2005.02.02 |
| 申请号 | CN01804755.6 | 申请日期 | 2001.01.22 |
| 申请人 | 液体空气乔治洛德方法利用和研究的具有监督和管理委员会的有限公司;索福塔尔电子埃里克布卢门菲尔德两合公司 | 发明人 | P·可可里奥斯;F·克尤莱特;F·福斯特;J－L·盖洛特;B·玛藤斯;E·普林兹;G·拉米斯－朗拉德;A·维勒米特 |
| 分类号 | C08J7/12;B29C59/12 | 主分类号 | C08J7/12 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 邓毅 |
| 主权项 | 1、一种对聚合物底物的表面处理方法，其中在包含载气、还原性气体和/或氧化性气体的处理气体混合物中，在约等于常压的压力下，使底物受到介电屏蔽放电处理，使用以下方案为特征：-当处理混合物包含氧化性气体时，混合物中氧化性气体含量在50-2000ppmv的范围；-当处理气体混合物包含还原剂时，气体混合物中还原性气体含量在50-30000ppmv范围。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||