| 发明名称 | 用磁跟踪在含烃地层形成孔洞 | ||
| 摘要 | 描述了一种用来在一含烃地层中形成孔的方法。沿第一孔的一部分设置多个磁铁。采用系列磁场的磁跟踪形成地层中的第二孔。第二孔可与第一孔相隔一预定的距离。 | ||
| 申请公布号 | CN1575377A | 申请公布日期 | 2005.02.02 |
| 申请号 | CN02821105.7 | 申请日期 | 2002.10.24 |
| 申请人 | 国际壳牌研究有限公司 | 发明人 | 哈罗德·J·维内加;罗宾·A·哈特曼;克里斯托弗·A·普拉特;克里斯托弗·K·哈里斯;戈登·B·莱珀 |
| 分类号 | E21B47/022;E21B47/09;G01V3/26;E21B43/30 | 主分类号 | E21B47/022 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 朱德强 |
| 主权项 | 1.一种用来在一含烃地层形成一个或一个以上孔的方法，包括：在地层中形成或设置一第一孔；将多块磁铁置入第一孔，其中多个磁铁系沿第一孔的至少一部分设置，且其中多个磁铁沿第一孔的至少该部分产生一系列磁场；又用该系列磁场的磁跟踪在地层中形成第二孔，使得第二孔与第一孔相隔一预定的距离。 | ||
| 地址 | 荷兰海牙 | ||