发明名称 | 由高纯度氧化钼形成的电子器件 | ||
摘要 | 本发明涉及在器件的至少一部分中包括高纯度氧化钼的电子器件。根据本发明的器件如双极性晶体管、场效应晶体管和闸流晶体管具有高耐压。本发明还涉及使用高纯度氧化钼形成的对环境惰性的电子器件。根据本发明的器件可以在相对较低的温度如700℃下制造,此温度低于制造GaN或SiC器件的温度,即高于1000℃的温度。 | ||
申请公布号 | CN1574105A | 申请公布日期 | 2005.02.02 |
申请号 | CN200410047400.4 | 申请日期 | 2004.06.09 |
申请人 | 河东田隆 | 发明人 | 河东田隆 |
分类号 | H01B1/00;H01B1/08;H01L21/28;H01L29/772;H01L29/73;H01L29/74 | 主分类号 | H01B1/00 |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 樊卫民;郭国清 |
主权项 | 1.一种半导体电子器件,其中至少在主要部分中使用高纯度氧化钼。 | ||
地址 | 日本高知县 |