发明名称 半导体器件
摘要 一种半导体器件,其中防止了制造步骤中的静电放电损伤。更具体地说是一种半导体器件,其中防止了在完成象素电极的制作的步骤中的静电放电损伤。本发明的半导体器件包含发光元件、驱动晶体管、以及排列在发光元件与驱动晶体管之间的保护装置。此保护装置包含电阻器元件、电容器元件、以及整流器元件中的至少一个。更具体地说,保护装置被排列在发光元件的象素电极与驱动晶体管的源电极或漏电极之间。要指出的是,整流器元件是具有整流功能且相当于二极管或其漏电极与栅电极被彼此连接的晶体管的一种元件。
申请公布号 CN1573847A 申请公布日期 2005.02.02
申请号 CN200410060008.3 申请日期 2004.06.18
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 纳光明;安西彩;山崎优
分类号 G09F9/30;H01L23/60;G09G3/30;G09G3/20;H05B33/00;H01L29/861;H01L29/78;G02F1/136 主分类号 G09F9/30
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 张雪梅;梁永
主权项 1.一种半导体器件,它包含:多个象素,每个象素包含:发光元件;保护电路;第一晶体管,用来控制发光元件中流动的电流量;以及第二晶体管,用来根据视频信号而控制对发光元件的电流供应,其中,发光元件、保护电路、第一晶体管、以及第二晶体管,被串联连接在第一电源与第二电源之间,且保护电路包含电阻器元件、电容器元件、以及整流器元件中的至少一个。
地址 日本神奈川县厚木市