| 发明名称 | 具有低电阻的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有低电阻的半导体器件及其制造方法，通过防止形成栅极叠层时出现高电阻材料来获得低电阻。该器件包括形成在半导体衬底上的电介质层，形成在电介质层上的多晶硅层，形成在多晶硅层上的界面反应阻挡层，形成在界面反应阻挡层上的阻挡层，以及形成在阻挡层上的金属层。其中界面反应阻挡层被构造用于阻止多晶硅层与阻挡层之间的反应。 | ||
| 申请公布号 | CN1574398A | 申请公布日期 | 2005.02.02 |
| 申请号 | CN03155055.X | 申请日期 | 2003.08.26 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 尹宣弼;许盛俊;金星万;李彰原;具滋钦;崔时荣 |
| 分类号 | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/283;H01L21/3205 | 主分类号 | H01L29/786 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，包括：电介质层，形成在半导体衬底上；多晶硅层，形成在该电介质层上；界面反应阻挡层，形成在该多晶硅层上，该界面反应阻挡层被构造用于阻止该多晶硅层与后续形成在该界面反应阻挡层上的材料层间的反应；阻挡层，形成在该界面反应阻挡层上；以及金属层，形成在该阻挡层上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||