发明名称 碳化矽单晶之生长方法、碳化矽种晶、及碳化矽单晶
摘要 一种制造单晶的方法,包括将来自于当作原料的碳化矽之蒸汽气体供应给由碳化矽单晶所组成之种晶,以使此种晶生长。此种晶系配置于晶体生长的一部件中,此种晶的晶体面系与(0001)平面或(000-1)平面倾斜,藉此来达成晶体生长。
申请公布号 TW200504253 申请公布日期 2005.02.01
申请号 TW093117200 申请日期 2004.06.15
申请人 昭和电工股份有限公司 发明人 小柳直树
分类号 C30B23/00 主分类号 C30B23/00
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本