一种制作垂直型电晶体埋入导电带外扩散区的方法

摘要

本发明系提供一种采两阶段制作埋入导电带外扩散区的方法，包含有下列步骤：提供一半导体基底，其上形成有至少一深沟渠；于该深沟渠底部沈积一第一导电层；于该深沟渠之侧壁上形成一颈氧化层；于该深沟渠内之该第一导电层上形成一第二导电层；回蚀刻该颈氧化层；于该第二导电层上沈积一第三导电层，其具有一第一厚度；于该第三导电层上沈积一沟渠上氧化层，其具有一第二厚度；于该深沟渠之侧壁上形成一侧壁子；回蚀刻该沟渠上氧化层，以于该侧壁子下方形成一缺口，暴露出部份该半导体基底；进行一掺质扩散制程，经由该缺口，于该半导体基底中形成一第一掺杂区；去除该侧壁子；以及进行一热制程，使该第二导电层内之掺质经由该第三导电层外扩散至该半导体基底，形成一第二掺杂区，其中该第二掺杂区与该第一掺杂区相连，构成一埋入导电带外扩散区。