发明名称 具有积体滤波层之接收辐射用之半导体本体
摘要 一种接收辐射用之半导体本体,其在至少二个接触层(6,7)之间具有至少一吸收辐射用之活性区(2)且接收一种波长范围在λ1和λ2之间之电磁辐射,其中λ2>λ1。该半导体本体包含一种介于该活性区(2)和一辐射-射入面(9)之间之滤波层(5)。该活性区(2)侦测电磁辐射,其具有之波长小于λ2。该滤波层(5)吸收电磁辐射,其具有之波长小于λ1。该滤波层(5)可透过一种波长大于λ1之电磁辐射。
申请公布号 TW200505041 申请公布日期 2005.02.01
申请号 TW093118801 申请日期 2004.06.28
申请人 欧斯朗奥托半导体股份有限公司 发明人 汤尼亚伯瑞特;彼得布瑞克;格兰-叶慈普蓝;马克菲利平斯
分类号 H01L31/101 主分类号 H01L31/101
代理机构 代理人 何金涂;李明宜
主权项
地址 德国