光电二极体阵列及其制造方法,及放射线检测器

摘要

光电二极体阵列1系具备n型矽基板3。在n型矽基板3之被检测光L之入射面的相反面侧，复数个光电二极体4系形成阵列状。在n型矽基板3之被检测光L的入射面侧之未与形成有光电二极体4的区域对应之区域上，设置具有规定的高度之空间层6。