半导体积体电路装置之制造方法及半导体积体电路装置

摘要

本发明之目的在于抑制采用多晶矽化金属－双闸极构造之n通道型MISFET与p通道型MISFET之交界附近的闸电极中杂质之相互扩散。n通道型MISFET之闸电极10n与p通道型MISFET之闸电极10p由于彼此的导电型相异，故而加以分离以防止杂质之相互扩散，介以后续之步骤中所形成之金属布线将两者电性连接。又，于使闸电极材料形成图案且将闸电极10n、10p分离之先前的步骤中，不进行700℃以上之高温热处理，以防止于闸电极形成前之步骤中杂质之相互扩散。