半导体元件

摘要

本发明之半导体元件包含一具有一井区之基板、一设置于该井区中之汲极扩散区与源极扩散区、一设置于该井区表面之闸绝缘层、一设置于该闸绝缘层上之闸极、一设置于该井区中之基体接触扩散区以及绝缘槽。该基体接触扩散区之导电型态相反于该井区之导电型态。本发明之半导体元件可视为系由一金氧半导体电晶体、一接面二极体及一电气连接该金氧半导体电晶体及该接面二极体之电阻构成。接面二极体可视为由该基体接触扩散区与该井区构成，而该电阻则是该井区之本徵电阻。