发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本发明提供一种半导体装置及其制造方法,其目的在于使熔接于外部端子之接合材的辨识性得以提升。该半导体装置中,半导体元件和电性连接于上述半导体元件的电极,系藉由具有绝缘性的封装材封装,且令上述电极露出于藉着外部安装基板和接合材接合的安装面周围,其中,上述电极所形成之形状,在上述安装面藉着上述接合材而接合于上述安装基板的状态下,可从包围上述安装面的侧面侧辨识上述接合材。
申请公布号 TW200504982 申请公布日期 2005.02.01
申请号 TW093117884 申请日期 2004.06.21
申请人 三洋电机股份有限公司;关东三洋半导体股份有限公司 发明人 龟山工次郎;三田清志
分类号 H01L23/488 主分类号 H01L23/488
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 日本