发明名称 切割晶粒接合膜、固定晶片化工件之方法及半导体元件
摘要 本发明之切割晶粒接合膜,其系包含一感压黏着层于一底部支撑材料上,及一晶粒接合黏着层于该感压黏着层上,其中该感压黏着层及该晶粒接合黏着层间界面之释离性,不同于该晶粒接合黏着层中相对于一工件附着区域之一界面,及相对于部分或整个其他区域之一界面间之释离性,且该界面之释离性较该界面之释离性高。根据本发明,可提供一切割晶粒接合膜,其在切割工件时之保持性,及连结该晶粒接合黏着层之已切割晶片化工件之释离性之间,具有极佳之平衡。
申请公布号 TW200504931 申请公布日期 2005.02.01
申请号 TW093112505 申请日期 2004.05.04
申请人 日东电工股份有限公司 发明人 松村健;水谷昌纪;三隅贞仁
分类号 H01L21/78 主分类号 H01L21/78
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 日本