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发明名称
切割晶粒接合膜、固定晶片化工件之方法及半导体元件
摘要
本发明之切割晶粒接合膜,其系包含一感压黏着层于一底部支撑材料上,及一晶粒接合黏着层于该感压黏着层上,其中该感压黏着层及该晶粒接合黏着层间界面之释离性,不同于该晶粒接合黏着层中相对于一工件附着区域之一界面,及相对于部分或整个其他区域之一界面间之释离性,且该界面之释离性较该界面之释离性高。根据本发明,可提供一切割晶粒接合膜,其在切割工件时之保持性,及连结该晶粒接合黏着层之已切割晶片化工件之释离性之间,具有极佳之平衡。
申请公布号
TW200504931
申请公布日期
2005.02.01
申请号
TW093112505
申请日期
2004.05.04
申请人
日东电工股份有限公司
发明人
松村健;水谷昌纪;三隅贞仁
分类号
H01L21/78
主分类号
H01L21/78
代理机构
代理人
恽轶群;陈文郎
主权项
地址
日本
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