发明名称 发光二极体之抗静电电路结构及方法
摘要 本发明系为一种发光二极体之抗静电电路结构及方法,其组成系包括有:一发光二极体,其系具有P极及N极之界面,并与一电路基板相连接,且其电路基板内系包括有二基板P极及一基板N极;第一抗静电元件组合,内建于该电路基板中,其至少包括第一电阻、第一电容及第一二极体,三者经由串联后与该发光二极体做一并联,且该第一二极体之P极与发光二极体之N极相连接;第二抗静电元件组合,内建于该电路基板中,其至少包括第二电阻、第二电容及第二二极体,三者经由串联后与该发光二极体及第一抗静电元件做一并联,且该第二二极体之P极与发光二极体之P极相连接,藉由该结构可将人体接触发光二极体所产生突波吸收及消耗,而可有效保护发光二极体的寿命,使其不易损毁之目的者。
申请公布号 TW200505047 申请公布日期 2005.02.01
申请号 TW092120977 申请日期 2003.07.31
申请人 国联光电科技股份有限公司 发明人 吴仁钊;杨正中;黄荣义;杜全成
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 邱耕樟
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路十号九楼