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发明名称
具有埋藏式通道电晶体之非挥发性记忆胞
摘要
在一非挥发性记忆胞中,其选择闸极电晶体形成埋藏式通道电晶体以增加该电晶体之电流。
申请公布号
TW200504755
申请公布日期
2005.02.01
申请号
TW093121880
申请日期
2004.07.22
申请人
台湾茂矽电子股份有限公司
发明人
丁逸
分类号
G11C14/00
主分类号
G11C14/00
代理机构
代理人
洪澄文;颜锦顺
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行路十九号
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