发明名称 具有埋藏式通道电晶体之非挥发性记忆胞
摘要 在一非挥发性记忆胞中,其选择闸极电晶体形成埋藏式通道电晶体以增加该电晶体之电流。
申请公布号 TW200504755 申请公布日期 2005.02.01
申请号 TW093121880 申请日期 2004.07.22
申请人 台湾茂矽电子股份有限公司 发明人 丁逸
分类号 G11C14/00 主分类号 G11C14/00
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路十九号