检测半导体装置之方法

摘要

以雷射光照射晶圆，当雷射光扫瞄时，其波长穿透晶圆的晶体内部且不因光激励产生电动势。当晶圆温度由照射增加时，热电动势由Seebeck效应产生于晶圆的结晶异常部。侦测晶体内的缺陷，由出现在晶圆阳极与阴极间的电压或电流改变侦测热电动势，热电动势显示在CRT上。