发明名称 有机膜之化学机械抛光方法以及制造半导体装置之方法
摘要 本发明揭示一种有机膜之化学机械抛光方法,其包括:在一半导体基板上形成该有机膜;使形成于该半导体基板上的该有机膜接触一附装至一转盘之抛光垫;及将一浆液滴至该抛光垫上以抛光该有机膜,该浆液系选自由一第一浆液与一第二浆液组成之群,该第一浆液包含一树脂粒子,其中该树脂粒子具有一选自由一阴离子官能基、一阳离子官能基、一两性官能基及一非离子官能基组成之群之官能基且具有一介于0.05至5微米之间的初始粒径,该第一浆液具有一介于2至8之间的pH值;该第二浆液包含一初始粒径介于0.05至5微米之间的树脂粒子及一具有一亲水部分之表面活性剂。
申请公布号 TW200504801 申请公布日期 2005.02.01
申请号 TW093114973 申请日期 2004.05.26
申请人 东芝股份有限公司 发明人 松井之辉;南幅学;竖山佳邦;矢野博之;重田厚
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本