MOS型半导体装置

摘要

一种半导体装置具备：一主动区域，即在半导体基板上用元件隔离区域隔离的MOSFET之主动区域；及一闸电极，通过该主动区域上设置一支闸电极；以及源极接触部与汲极接触部，设在该闸电极两侧，与该主动区域之表面接触。该闸电极，由该源极接触部及／或汲极接触部的位置起，沿闸电极方向随其距离越远，该闸极长度分阶段或连续的变小。