记忆胞元具多浮动闸极非挥发记忆体中闸介电之制造

摘要

在具有二浮动闸极之非挥发性记忆胞元的制造过程中，一或多周边电晶体闸极系被形成自与选择闸极相同之层(140)，这些周边电晶体之闸极介电质(130)以及选择闸极之闸极介电质(130)系同时形成。在具有包括二浮动闸极之一记忆胞元之非挥发性记忆体中，该周边电晶体之该闸极介电质(130)以及该选择闸极(140)之闸极介电质(130)系具有相同之厚度。