发明名称 介电层与半导体元件的制造方法
摘要 一种介电层的制造方法,此方法系适用于一基底上,且此基底上已形成元件结构。此方法系先于基底之元件结构上形成研磨终止层,之后,于研磨终止层上形成第一介电层。接着,进行研磨制程直到此研磨终止层裸露出来为止。继之,于基底上形成第二介电层。由于在进行研磨时过程中,以研磨终止层作为研磨终点之参考依据,因此所制作出来之介电层较知技术,其表面具有更佳的平坦性与均匀度。
申请公布号 TW200504881 申请公布日期 2005.02.01
申请号 TW092120770 申请日期 2003.07.30
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 刘裕腾;陈光钊;施学浩;杨云祺
分类号 H01L21/3205 主分类号 H01L21/3205
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路十六号