发明名称 | 介电层与半导体元件的制造方法 | ||
摘要 | 一种介电层的制造方法,此方法系适用于一基底上,且此基底上已形成元件结构。此方法系先于基底之元件结构上形成研磨终止层,之后,于研磨终止层上形成第一介电层。接着,进行研磨制程直到此研磨终止层裸露出来为止。继之,于基底上形成第二介电层。由于在进行研磨时过程中,以研磨终止层作为研磨终点之参考依据,因此所制作出来之介电层较知技术,其表面具有更佳的平坦性与均匀度。 | ||
申请公布号 | TW200504881 | 申请公布日期 | 2005.02.01 |
申请号 | TW092120770 | 申请日期 | 2003.07.30 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 刘裕腾;陈光钊;施学浩;杨云祺 |
分类号 | H01L21/3205 | 主分类号 | H01L21/3205 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路十六号 |