具有多重浮置闸极非挥发性记忆胞之介电质之制造

摘要

一种记忆胞具有选取闸极(select gate)以及至少二个浮置闸极(floating gate)，以一个高温氧化制程，对于浮置闸极形成闸极介电层，也同时对于选取闸极的表面上形成介电层。在前述选取闸极表面上的介电层厚度，系被选取闸极中的掺质浓度所控制。