形成非挥发性记忆胞的方法及有此记忆胞之记忆阵列

摘要

一种形成非挥发性记忆胞的方法包括于一组成叠层上沈积一氧化层，且组成叠层具有一介电层、介电层上有一第一导电层。之后，去除部分氧化层的上部以暴露介电层，再去除介电层以及剩余之氧化层的上部，以使氧化层与第一导电层的上表面几乎是平的。接着，在第一导电层及氧化层之上表面上形成一第二导电层。于一基底表面中形成包含间隔且平行的多个位元线的一非挥发性记忆阵列。在位元线上之基底表面上有包含一电子捕捉层之数个堆叠层。在堆叠层上有数个间隔的字元线。而字元线系互相平行且垂直于位元线。