隔离区的形成方法

摘要

本发明提供一种隔离区的形成方法，首先，提供一具有一离子植入区之半导体基底，且半导体基底上形成有一硬罩幕层；接着，于半导体基底形成一露出离子植入区之沟槽，并于沟槽底部形成一掺杂玻璃层，及于沟槽之侧壁形成一间隙壁，并去除掺杂矽玻璃层；然后，于沟槽底部形成一阻隔层，且对半导体基底进行等向性蚀刻，以在沟槽底部形成一侧向沟槽，且去除阻隔层，及对露出表面之半导体基底进行热氧化步骤，以形成一第一氧化层，于沟槽形成一第二氧化层，第一氧化层及第二氧化层共同形成一组合隔离区。