一种制作不对称沟渠内结构之方法

摘要

一种于半导体层之浅沟或孔洞内形成不对称内结构之方法，包含有于一半导体层或半导体基底内形成至少一开孔或沟渠，该开孔或沟渠具有一第一侧壁、第二侧壁以及一底部；于该第一侧壁、第二侧壁以及底部上形成一介电层；进行一斜角度(title angle)离子布值制程，只在该第一侧壁以及底部上之该介电层中植入预定浓度的离子，造成在该第一侧壁以及底部上之该介电层与在该第二侧壁上之该介电层之间具有蚀刻选择比；以及选择性地蚀刻掉在该第一侧壁以及底部上之该介电层，形成不对称内结构。