半导体积体电路装置

摘要

以往之半导体积体电路装置，由于作为防止逆流电流发生之方法的导通(启动)电阻大，无法减小通常动作时之电压损失。于是，有关本发明之半导体积体电路装置乃作成具备第1MOS电晶体、设于前述第1MOS电晶体与电源端子间之第2MOS电晶体、以及通常动作时之第2MOS电晶体之闸极为预定电位(理想为接地电位)，并在可能发生逆流电流之状况时使第2MOS电晶体不导通之构成，从而谋求逆流电流之发生的防止以及通常动作时之电压损失的减低。