发明名称 | 静电放电保护电路 | ||
摘要 | 一种使用汲极无矽化物隔离块设置之场效电晶体的静电放电(Electro Static Discharge,ESD)保护电路系与一内部电路(Internal circuit)电连接以用来保护该内部电路不至于因为一静电放电(ESD event)产生而影响其操作,其中内部电路包含有至少一讯号输入端。静电放电保护电路包含有:一静电放电箝制电路(ESD clamp circuit),用来于当有静电放电产生时,提供静电放电之一电流接地路径;以及至少一对PN接面二极体(PN junction diode)以叠接(stacked)之方式使得一接面二极体之P端与另一接面之N端与讯号输入端电连接。静电放电箝制电路所包含之至少一场效电晶体(field effect transistor,FET)的汲极为一无矽化物隔离块(Non–Silicide block)设置的形式。 | ||
申请公布号 | TW200504991 | 申请公布日期 | 2005.02.01 |
申请号 | TW092119457 | 申请日期 | 2003.07.16 |
申请人 | 联发科技股份有限公司 | 发明人 | 郑道;廖学坤 |
分类号 | H01L23/60 | 主分类号 | H01L23/60 |
代理机构 | 代理人 | 谢宗颖;王云平 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区创新一路十三号一楼 |