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发明名称
在主动模式中能减少电流消耗之半导体记忆装置
摘要
提供一种在主动模式中能减少电流消耗之半导体记忆装置,该半导体记忆装置包含一内部电压供应区块及一内部电压控制区块,该内部电压供应区块系致能以响应一内部电压驱动致能信号,及产生一使用于该半导体记忆装置之内部操作中之内部电压,该内部电压控制区块在该半导体记忆装置进入主动操作周期后之预定周期期间及在一相对应于读取/写入操作之周期期间激活该内部电压驱动致能信号。
申请公布号
TW200504760
申请公布日期
2005.02.01
申请号
TW092137323
申请日期
2003.12.29
申请人
海力士半导体股份有限公司
发明人
金溶美
分类号
G11C5/14
主分类号
G11C5/14
代理机构
代理人
何金涂;李明宜
主权项
地址
韩国
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