| 主权项 |
1.一种半导体积体电路装置,包含有:一类比信号产生电路,用以输出一类比信号;及一预定信号储存电路,用以储存至少一个预定信号其被提供至该信号产生电路并将该信号设至一预定値,其中对通至外部端的输入/输出介面使用了一些数位信号,为了调整该类比信号,该半导体积体电路更包含有一判断电路用以输出至少一个判断信号其对应该对应至少一个调整信号之类比信号与根据电源电压所产生之预定値的一比较结果,给每个根据一测试信号而被提供至该类比信号产生电路的调整信号,及当该判断信号判断出该类比信号具有该预定値时,该对应如所判断之类比信号之调整信号被储存于该预定信号储存电路作为该预定信号。2.如申请专利范围第1项所述之半导体积体电路装置,更包含有一信号选择电路其系由该测试信号所控制并且将该调整信号或是该预定信号提供至该类比信号产生电路。3.如申请专利范围第1项所述之半导体积体电路装置,其中该调整或该预定信号是两个或多于两个位元的数位信号并被输入至一安排在该类比信号产生电路的前一级之解码电路。4.如申请专利范围第1项所述之半导体积体电路装置,其中该预定値是一第一比较参考値与一第二比较参考値之间的一预定类比値区域,并且该判断信号判断由包含该第一与第二比较参考値的两个或更多比较参考値所分出的类比値区域存在该类比値。5.如申请专利范围第4项所述之半导体积体电路装置,其中该判断电路包含:复数个比较电路,用以比较该类比信号与该两等两个或更多比较参考値中的每一个;及一编码电路,用以一接收来自该等复数个比较电路之输出信号之方式下来输出编码信号并识别该类比信号存在之类比値区域。6.如申请专利范围第4项所述之半导体积体电路装置,其中该等两个或更多比较参考値系藉由降低/划分电源电压而获得。7.如申请专利范围第1项所述之半导体积体电路装置,其中该类比信号产生电路是一内部电源电压产生电路并输出内部电源电压作为该类比信号。8.如申请专利范围第1项所述之半导体积体电路装置,该预定信号储存电路包含记忆体元件或保险丝元件,并且该预定信号储存电路根据写入资料在该等记忆体元件或切掉该等保险丝元件之判断信号而在该半导体积体电路内部被控制。9.如申请专利范围第1项所述之半导体积体电路装置,其中该判断信号是一数位信号并自该外部端被输出。10.如申请专利范围第1项所述之半导体积体电路装置,其中该预定信号储存电路包含保险丝元件或记忆体元件,并根据对所输出的判断信号的外部控制来处理写入资料在该等记忆体元件或切掉该等保险丝元件。11.如申请专利范围第1项所述之半导体积体电路装置,更包含有一调整信号产生电路用以在由该测试信号的启动控制下案顺序地输出该调整信号。12.如申请专利范围第11项所述之半导体积体电路装置,其中该调整信号产生电路包含一振荡电路用以输出一具有预定频率之振荡信号、及计数器电路用以根据该预定频率来计数该振荡信号、转变且输出具有固定周期之调整信号。13.如申请专利范围第1项所述之半导体积体电路装置,更包含一自我诊断测试电路用以执行在该半导体积体电路内部之该等预定内部电路之预定测试,其中该类比信号之调整测试被该等自我诊断测试电路所执行作为测试中之一。14.如申请专利范围第13项所述之半导体积体电路装置,其中该测试信号、该调整信号、及该判断信号被输入至该自我诊断测试电路/自该自我诊断测试电路输出。15.一种半导体积体电路装置,包含有:一类比信号产生电路,用以输出一类比信号;及一预定信号储存电路,用以储存至少一个预定信号其被提供至该信号产生电路并将该信号设至一预定値,其中数位信号系用于至外部端的输入/输出介面,并且该半导体积体电路更包含有实际负载电路用以因应一要被提供之负载设定信号来改变对该类比信号之负载。16.如申请专利范围第15项所述之半导体积体电路装置,其中该类比信号产生电路是一内部电源电压产生电路并输出内部电源电压作为该类比信号,并且该负载是一用以产生负载电流之电流源电路。17.一种半导体积体电路装置之调整方法,该半导体积体电路装置根据至少一个所储存的预定信号产生一具有一预定値之类比信号并使用至外部端之输入/输出介面的数位信号,用以调整该类比信号,该调整方法包含步骤有:一信号产生步骤,用以输出该类比信号其对应至少一个调整信号;一判断步骤,用以判断所产生之类比信号与根据该电源电压所产生之预定値的一比较结果,该判断步骤系在该半导体积体电路装置内部执行;及一储存步骤,当该调整信号经由该判断步骤被判断如具有该预定値时用以储存该调整信号作为该预定信号。18.如申请专利范围第17项所述之调整方法,其中该调整信号达到逐步转变并且对于每个调整信号该信号产生步骤与该判断步骤被重复。19.如申请专利范围第17项所述之调整方法,其中该储存步骤系在该半导体积体电路装置内部执行。20.如申请专利范围第17项所述之调整方法,其中该比较结果之盘段系从该等外部端中的至少一个输出以至少一个数位信号的形式。21.如申请专利范围第20项所述之调整方法,其中该储存步骤在该半导体积体电路装置外部被控制。22.如申请专利范围第21项所述之调整方法,其中该储存步骤包含步骤有:一信号获得步骤,当该调整信号经由该判断步骤被判断如具有该预定値时用以获得该调整信号作为该预定信号;及一写入步骤,用以将该获得之预定信号写入一预定信号储存电路。23.一种半导体积体电路装置之调整方法,该半导体积体电路装置根据至少一个所储存之预定信号来产生一具有一预定値之类比信号并使用至外部端之输入/输出介面的数位信号,该调整方法,经由一用来根据一负载设定信号改变对该类比信号之负载的实际负载步骤,调整该类比信号。图式简单说明:第1图是本发明的一第一原理图;第2图是本发明的一第二原理图;第3图是一第一实施例的一电路方块图;第4图是针对该第一实施例的一特定范例之一电路图;第5图显示针对该第一实施例该特定范例之操作波形;第6图是该第一实施例的一整理测试流程;第7图是一判断电路的变化电路图;第8图是一第二实施例的一电路方块图;第9图是针对该第二实施例的一特定范例之一电路图;第10图显示针对该第二实施例该特定范例之操作波形;第11图是该第二实施例的一整理测试流程;第12图是一第三实施例的一电路方块图;第13图是针对该第三实施例的一特定范例之一电路图;第14图是针对一第四实施例的一第一特定范例之一电路图;第15图是针对一第四实施例的一第二特定范例之一电路图;第16图显示在多种判断被达成下所得到之操作波形;第17图是习知技艺一电路图;及第18图是一传统整理测试流程。 |
