发明名称 | 防静电薄膜之制造方法 | ||
摘要 | 本发明是在提供一种防静电薄膜之制造方法,该制造方法是利用溅射方式在一工件上进行物理蒸镀,其包含一以清洁该工件表面之清洁步骤,及一镀膜步骤。镀膜步骤中首先于工件上镀一层金属层,再于该金属层上镀上一含有金属、石墨等成分之防静电表面层。由于使用石墨成分可降低表面摩擦系数,增加防静电薄膜之耐磨性及沉积速率,且于蒸镀表面层之过程中通入用以调节电阻率之氮气及有机小分子。因此,本发明之方法仅需在制程中做些微调整,即可制作电阻率分布范围较大且同时具颇佳机械性质之各式防静电薄膜,确实具有作业步骤少、符合经济效益且兼顾薄膜电阻率且机械性质之功效。 | ||
申请公布号 | TWI227278 | 申请公布日期 | 2005.02.01 |
申请号 | TW090129546 | 申请日期 | 2001.11.29 |
申请人 | 财团法人金属工业研究发展中心 | 发明人 | 卓廷彬;刘伍健;杨玉森;李新中 |
分类号 | C23C14/06 | 主分类号 | C23C14/06 |
代理机构 | 代理人 | 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 | |
主权项 | 1.一种防静电薄膜之制造方法,主要使用一溅射设备以溅射方式在一工件上形成一防静电薄膜,该溅射设备具有一箱体,及一配置于该箱体内之基板,该制造方法包含:一清洁步骤,在该箱体内装置金属及石墨靶材后,将该工件设置于该基板上并对该箱体抽真空,再通入氩气并供应该基板一偏压以清洁该工件表面;及一镀膜步骤,首先于金属靶材上通以0.1~5安培以溅射出金属,再于石墨靶材上通以0.1~6安培之电流且对基板施以-20~-80V之电压,以溅射出金属及石墨原子,同时并通入氮气及一电阻调节剂以调节薄膜之电阻率;其中,金属种类是选自下列一种或一种以上元素;Cr、Mo、Ni、Ag、Ta、W、Ti或Zr,且该电阻调节剂选自烷类及/或炔类小分子。2.依据申请专利范围第1项所述之防静电薄膜之制造方法,其中,该镀膜步骤所使用电阻调节剂中之烷类选自甲烷、乙烷或丙烷。3.依据申请专利范围第1项所述之防静电薄膜之制造方法,其中,该镀膜步骤所使用电阻调节剂中之炔类选自乙炔。图式简单说明:第一图系本发明一较佳实施例之流程示图。 | ||
地址 | 高雄市楠梓区高楠公路1001号 |