| 主权项 |
1.一种晶片结构,至少包括:一晶片,具有至少一焊垫以及连接该焊垫之一传输线,位于该晶片之表面上;以及一保护层,覆盖于该晶片之表面上,该保护层具有一开口,暴露出该焊垫,其中该开口之轮廓系由一直线以及连接该直线之两端的一圆弧所构成,且该直线靠近于该传输线连接至该焊垫之一端。2.如申请专利范围第1项所述之晶片结构,其中该直线之长度小于等于该圆弧之半径。3.如申请专利范围第1项所述之晶片结构,其中该直线之长度系介于该圆弧之半径与直径之间。4.如申请专利范围第1项所述之晶片结构,其中保护层系为一有机保护层。5.如申请专利范围第1项所述之晶片结构,其中保护层系为一无机保护层。6.一种晶片结构,至少包括:一晶片,具有至少一焊垫以及连接该焊垫之一传输线,而该焊垫与该传输线系位于该晶片之表面:以及一保护层,覆盖于该晶片之表面,该保护层具有一开口,其暴露出该焊垫,而该开口之轮廓系由一弧线以及连接该弧线之两端的一圆弧所构成,其中该弧线凹陷于该圆弧之中,且该弧线靠近于该传输线连接至该焊垫之一端。7.如申请专利范围第6项所述之晶片结构,其中该弧线上任一点与该传输线连接至该焊垫之该端的距离系等距分布。8.如申请专利范围第6项所述之晶片结构,其中该弧线之曲率小于等于该圆弧的曲率。9.如申请专利范围第6项所述之晶片结构,其中该弧线之曲率大于等于该圆弧的曲率。10.如申请专利范围第6项所述之晶片结构,其中保护层系为一有机保护层。11.如申请专利范围第6项所述之晶片结构,其中保护层系为一无机保护层。图式简单说明:第1图绘示习知一种保护层之开口结构的俯视示意图。第2图绘示本发明一较佳实施例之一种保护层开口之改良结构的俯视示意图。第3图绘示本发明一较佳实施例之另一种保护层开口之改良结构的俯视示意图。 |
