| 主权项 |
1.一种半导体装置,包括:基板,具有氧析出层,其中该基板的溶解氧浓度为8*1017(原子/立方公分)以下,施体或是受体形成之掺质浓度为1*1015(原子/立方公分)以下;以及矽层,形成于上述基板上,其中溶解氧浓度为8*1017(原子/立方公分)以下,施体或是受体形成之掺质浓度为1*1015(原子/立方公分)以下,并于该矽层形成有元件。2.一种半导体装置,包括:基板,其中碳为1*1017(原子/立方公分)以上,溶解氧浓度为8*1017(原子/立方公分)以下,施体或是受体形成之掺质浓度为1*1015(原子/立方公分)以下;以及矽层,形成于上述基板上,其中溶解氧浓度为8*1017(原子/立方公分)以下,施体或是受体形成之掺质浓度为1*1015(原子/立方公分)以下,并于该矽层形成有元件。3.一种半导体装置,包括:基板,其中氮为1*1017(原子/立方公分)以上,溶解氧浓度为8*1017(原子/立方公分)以下,施体或是受体形成之掺质浓度为1*1015(原子/立方公分)以下;以及矽层,形成于上述基板上,其中溶解氧浓度为8*1017(原子/立方公分)以下,施体或是受体形成之掺质浓度为1*1015(原子/立方公分)以下,并于该矽层形成有元件。4.如申请专利范围第1项至第3项之其中一项所记载的半导体装置,其中上述矽层的膜厚为1至10微米。5.如申请专利范围第1项至第3项之其中一项所记载的半导体装置,其中上述矽层的膜厚为4微米。6.如申请专利范围第1项至第3项之其中一项所记载的半导体装置,其中上述矽层为磊晶层。7.一种半导体装置,包括:基板,其中溶解氧浓度为8*1017(原子/立方公分)以下,施体或是受体形成之掺质浓度为1*1015(原子/立方公分)以下;以及掺杂层,形成于上述基板之与形成有元件的第1面平行的第2面上、在热处理时与支撑上述基板之支撑部接触的范围。8.如申请专利范围第7项所记载的半导体装置,其中上述掺质层为碳或氮的其中之一。9.一种半导体装置,包括:基板,其中溶解氧浓度为8*1017(原子/立方公分)以下,施体或是受体形成之掺质浓度为1*1015(原子/立方公分)以下;以及绝缘膜,形成于上述基板之与形成有元件的第1面平行的第2面上、在热处理时与支撑上述基板之支撑部接触的范围。10.如申请专利范围第9项所记载的半导体装置,其中上述绝缘膜为氧化膜。11.如申请专利范围第10项所记载的半导体装置,其中上述绝缘膜亦形成于上述基板的侧面。12.如申请专利范围第1项至第3项、第7项以及第9项其中之一项所记载的半导体装置,其中该元件为电感器,该电感器系形成于上述基板上方未形成井的区域。图式简单说明:第1图所绘示为本发明之第1实施例的半导体装置的剖面图。第2图所绘示为第1图所示之制造步骤的剖面图。第3图所绘示为接续第2图之制造步骤的剖面图。第4图所绘示为本发明之第2实施例的半导体装置的剖面图。第5图所绘示为第4图所示之制造步骤的剖面图。第6图所绘示为本发明之第3实施例的半导体装置的剖面图。第7图所绘示为第6图所示之制造步骤的剖面图。第8图所绘示为本发明之第4实施例的半导体装置的剖面图。第9图所绘示为第8图所示之制造步骤的剖面图。第10图所绘示为接续第9图之制造步骤的剖面图。第11图所绘示为本发明之第5实施例的半导体装置的剖面图。第12图所绘示为第11图所示之制造步骤的剖面图。第13图所绘示为接续第12图之制造步骤的剖面图。第14图所绘示为基板内溶解的氧浓度与基板的阻値之关系的示意图。第15图所绘示为本发明所适用之高频电路之一范例的电路图。第16图为概略绘示本发明所适用之类比.数位混载积体电路之一部分的剖面图。第17图所绘示为基板的阻値与基板杂讯的关系示意图。第18图所绘示为基板的阻値与电感器的Q的关系示意图。 |
