| 主权项 |
1.一种基板处理装置,包含:a)处理容器,用以收容基板;b)外部容器,配置于该处理容器外部;c)洗净气体源供给系统,用以供给洗净气体源至该外部容器内;d)活性种产生机构,激发供给该外部容器内之洗净气体源,产生用以由该洗净气体源洗净该处理容器内之活性种;e)输送配管,用以输送在该外部容器内产生之该活性种至该处理容器内;以及f)冷却机构,用以冷却该输送配管之内壁面。2.一种基板处理装置,包含:a)处理容器,用以收容基板;b)外部容器,配置于该处理容器外部;c)洗净气体源供给系统,用以供给洗净气体源至该外部容器内;d)活性种产生机构,激发供给该外部容器内之洗净气体源,产生用以由该洗净气体源洗净该处理容器内之活性种;以及e)输送配管,至少其内壁面系由难以与该活性种反应之物质所形成,用以输送在该外部容器内产生之该活性种至该处理容器内。3.如申请专利范围第2项之基板处理装置,其中该输送配管至少以2种类之物质所形成。4.如申请专利范围第2项之基板处理装置,其中该输送配管以1种类之物质所形成。5.如申请专利范围第2项之基板处理装置,其中该洗净气体源系含氟之气体,且该输送配管之内壁面系由含Al、F、及Cr之任一物质所形成。6.如申请专利范围第2项之基板处理装置,其中该洗净气体源系含氯之气体,且该输送配管之内壁面系由含Si及C之任一物质所形成。7.一种基板处理装置之洗净方法,包含:a)输送配管冷却制程,用以冷却配置于基板处理装置之处理室与外部容器间之输送配管的内壁面;b)洗净气体源供给制程,用以供给洗净气体源至该外部容器内;c)活性种产生制程,令其激发供给至该外部容器内之该洗净气体源,用以产生由该洗净气体源洗净该处理容器之活性种;以及d)活性种输送制程,藉由该输送配管,将产生于该外部容器内之活性种输送至该处理容器内。8.一种基板处理装置之洗净方法,包含:a)洗净气体源供给制程,用以供给洗净气体源至外部容器内;b)活性种产生制程,用以激发供给至该外部容器内之该洗净气体源,俾由该洗净气体源产生洗净基板处理装置之处理容器内之活性种;以及c)活性种输送制程,藉由至少内壁面系由与该活性种难以反应之物质所形成的输送配管,将产生于该外部容器内之活性种输送至该处理容器内。9.如申请专利范围第8项之基板处理装置的洗净方法,其中该洗净气体源系含氟之气体,且该输送配管之内壁面系由含Al、F、及Cr之任一物质所形成。10.如申请专利范围第8项之基板处理装置的洗净方法,其中该洗净气体源系含氯之气体,且该输送配管之内壁面系由含Si及C之任一物质所形成。图式简单说明:图1系显示在第1实施形态中成膜装置之示意构成图。图2系显示在第1实施形态中以成膜装置进行之成膜的流程图。图3系显示在第1实施形态中以成膜装置进行洗净的流程图。图4A~图4D系显示在第1实施形态中洗净示意制程图。图5系显示在第2实施形态中成膜装置之示意构成图。图6系显示在2实施形态中以成膜装置进行洗净的流程图。图7系显示在第2实施形态中洗净示意制程图。图8系显示在第3实施形态中运输配管示意垂直剖面图。图9系显示在第4实施形态中运输配管示意垂直剖面图。 |
