| 主权项 |
1.一种低反射相位及穿透率可调之光罩结构,包含:一基板;一第一高吸收层,设置于该基板上,其系由金属构成且厚度系介于3至15奈米之间;一低吸收层,设置于该第一高吸收层上,其系由介电材料构成且厚度系介于70至900奈米之间;以及一第二高吸收层,设置于该低吸收层上,其系由金属构成且厚度系介于15至50奈米之间;藉由控制该第一与第二高吸收层之厚度可调变一曝光光源之穿透率,以及藉由控制该第一高吸收层、该低吸收层与该第二高吸收层之整体厚度可控制该曝光光源之相位转移量。2.如申请专利范围第1项之光罩结构,其中该第一高吸收层及该第二高吸收层之材质系选自铬、铝、钨及铜所组成之群。3.如申请专利范围第1项之光罩结构,其中该介电材料系选自氧化矽、氧化铝及氮化铝所组成之群。4.一种低反射相位及穿透率可调之光罩结构,包含:一基板;以及至少两组反射面,形成一Fabry-Perot结构,用以减少光罩表面之反射,其中该两组反射面系由一厚度界于3至15奈米之第一高吸收层、一厚度介于70至900奈米之低吸收层以及一厚度界于15至50奈米之第二高吸收层构成。5.如申请专利范围第4项之光罩结构,其中该高吸收层之材质系选自铬、铝、钨及铜所组成之群。6.如申请专利范围第4项之光罩结构,其中该低吸收层之材质系为介电材料。7.如申请专利范围第6项之光罩结构,其中该介电材料系选自氧化矽、氧化铝及氮化铝所组成之群。图式简单说明:图1系本发明光罩结构之剖面图;图2系本发明光罩结构之反射率及穿透率相对于第一高吸层厚度的变化图;图3系本发明光罩结构之反射率及穿透率相对于低吸层厚度的变化图;图4系本发明光罩结构之反射率及穿透率相对于第二高吸层厚度的变化图;及图5系本发明光罩结构之反射率及穿透率相对于不同曝光波长之变化图。 |
