| 主权项 |
1.一种液晶显示器,具有一上基板、一液晶层及一下基板,其中该显示器至少包括:一蚀刻阻挡层,形成于该下基板上方;一源极-汲极区,形成于该蚀刻阻挡层上方;复数条相互平行之闸极线与复数条相互平行之资料线设置于该源极-汲极区上方,且在相邻二该闸极线与相邻二该资料线间定义一显示区;以及一保护层,至少一部分接触于该显示区之该蚀刻阻挡层之顶表面。2.如申请专利范围第1项所述之液晶显示器,其中该蚀刻阻挡层为透明材质。3.如申请专利范围第2项所述之液晶显示器,其中该蚀刻阻挡层为氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。4.如申请专利范围第1项所述之液晶显示器,其中该基板为玻璃基板或石英基板。5.如申请专利范围第1项所述之液晶显示器,其中该显示器更包括有一画素电极层,系形成于该保护层上方。6.如申请专利范围第1项所述之液晶显示器,其中更包括一闸极,其与该相邻二闸极线中之一闸极线相连,用以驱动该源极-汲极区。7.一种液晶显示器的电晶体阵列基板,包括:一基板,该基板上定义有一电晶体区及一显示区;一蚀刻阻挡层形成于该基板上方;一电晶体设置于该电晶体区之该蚀刻阻挡层上方;一保护层至少一部分接触于该显示区之该蚀刻阻挡层之顶表面;以及一画素电极形成于该保护层上,且与该电晶体形成电性连接。8.如申请专利范围第7项所述之液晶显示器的电晶体阵列基板,其中该蚀刻阻挡层为氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。9.如申请专利范围第7项所述之液晶显示器的电晶体阵列基板,其中该画素电极层为氧化钢锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。10.一种液晶显示器之电晶体阵列基板的制作方法,包括:提供一基板,其上形成有一蚀刻阻挡层;形成一源极-汲极区于该蚀刻阻挡层上方;形成一绝缘层于该源极-汲极区上方;设置复数条相互平行之闸极线与复数条相互平行之资料线于该绝缘层上,且在相邻二闸极线与相邻二资料线间定义为一显示区;以及蚀刻去除该显示区之该绝缘层至露出该蚀刻阻挡层之表面为止。11.如申请专利范围第10项所述之液晶显示器的电晶体阵列基板制作方法,其中该蚀刻阻挡层为透明材质。12.如申请专利范围第11项所述之液晶显示器的电晶体阵列基板制作方法,其中该蚀刻阻挡层为氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。13.如申请专利范围第10项所述之液晶显示器的电晶体阵列基板制作方法,其中该基板为玻璃基板或石英基板。14.如申请专利范围第10项所述之液晶显示器的电晶体阵列基板制作方法,其中更包括形成一画素电极层于该显示区上方,且该画素电极与该汲极形成电性连接。15.如申请专利范围第10项所述之液晶显示器的电晶体阵列基板制作方法,更包括形成一闸极,其与该相邻二闸极线中之一闸极线相连,用以驱动该源极-汲极区。16.如申请专利范围第10项所述之液晶显示器的电晶体阵列基板制作方法,其中该源极系经由该绝缘层之一接触洞而与该相邻二资料线中之一资料线形成电性连接;该画素电极系经由该绝缘层之另一接触洞而与该汲极形成电性连接。17.如申请专利范围第16项所述之液晶显示器的电晶体阵列基板制作方法,其中该等接触洞系在蚀刻该透光区下方之绝缘层同时形成。18.一种液晶显示器的制作方法,包括:提供一第一基板,其上形成有一蚀刻阻挡层;形成一源极-汲极区于该蚀刻阻挡层上;形成一绝缘层于该蚀刻阻挡层上;设置复数条闸极线于该绝缘层上,并在各该闸极线间定义有至少一显示区;蚀刻该显示区之该绝缘层至暴露出该蚀刻阻挡层之表面为止;设置复数条资料线于该绝缘层之上;以及形成一画素电极于该显示区上,且该画素电极与该汲极形成电性连接;提供一第二基板,其设置相对应于该第一基板上方;贴合该第一基板及该第二基板;以及灌注液晶于该两基板之间。19.如申请专利范围第18项所述之液晶显示器的制作方法,其中该蚀刻阻挡层为氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。图式简单说明:第1图显示一TFT阵列基板之部分剖面图。第2A~2D图显示本实施例TFT-LCD主动阵列基板制作流程之剖面图。第2E图显示本实施例TFT-LCD主动阵列基板之上视图。第2F图显示本实施例液晶显示器之剖面图。 |
