| 主权项 |
1.一种浮置闸极的形成方法,包括:提供一基底,该基底包括至少一元件隔离结构,由该元件隔离结构所定义出之一主动区,形成于该主动区之该基底上的一衬层,形成于该衬层上之一罩幕层,以及一沟渠,其中该沟渠系贯穿该衬层与该罩幕层形成于该基底中;于该沟渠表面形成一穿隧氧化层;于该沟渠中填入一导体层;进行一等向性蚀刻步骤,移除部分该导体层,其中所保留之该导体层的上表面系为一圆弧状的凹陷表面;进行一非等向性蚀刻步骤,并利用该非等向性蚀刻步骤中所生成之一副产物为罩幕,移除部分该导体层及部分该穿隧氧化层,俾以暴露部分之该基底;以及移除该副产物、该罩幕层及该衬层,以于该沟渠侧壁形成一第一浮置闸极及一第二浮置闸极,其中该第一浮置闸极及该第二浮置闸极与该沟渠侧壁邻接的顶部边角系为一尖锐角。2.如申请专利范围第1项所述之浮置闸极的形成方法,其中该等向性蚀刻步骤包括一湿式蚀刻步骤。3.如申请专利范围第2项所述之浮置闸极的形成方法,其中该湿式蚀刻步骤所使用的蚀刻剂包括由氨水、双氧水与去离子水所构成之一混合溶液(Ammonium Hydrogen Peroxide Mixture,APM)。4.如申请专利范围第1项所述之浮置闸极的形成方法,其中该非等向性蚀刻步骤包括一电浆蚀刻步骤。5.如申请专利范围第4项所述之浮置闸极的形成方法,其中该电浆蚀刻步骤所使用之气体包括氯气/溴化氢/氧气。6.如申请专利范围第1项所述之浮置闸极的形成方法,其中该圆弧状之凹陷表面系高于该衬层表面。7.如申请专利范围第1项所述之浮置闸极的形成方法,其中该基底系为一矽基底。8.如申请专利范围第1项所述之浮置闸极的形成方法,其中该导体层系为一多晶矽层。9.如申请专利范围第1项所述之浮置闸极的形成方法,其中该罩幕层系为一氮化矽层。10.如申请专利范围第1项所述之浮置闸极的形成方法,其中该衬层系为一氧化矽层。图式简单说明:第1图是习知一种快闪记忆胞之局部结构的剖面示意图。第2图是第1图之快闪记忆胞经过热制程所得之局部结构的剖面示意图。第3图是依照本发明之一较佳实施例的一种快闪记忆胞中之浮置闸极的上视示意图。第4A图至第4D图是依照本发明之一较佳实施例的一种浮置闸极之制造流程剖面示意图,且为第3图中由Ⅰ至Ⅰ'之剖面示意图。 |
