| 摘要 |
本发明之半导体装置(51)具备电性连接于讯号输入端子(21)并含有二极体(22)及电晶体(23)之突波保护电路，其二极体(22)之阴极领域为由n^+扩散层(8c)，n^-磊晶层(4)，n型扩散层(5)，及n^+扩散层(8b)构成。n^+扩散层(8c)为与配线(12b)电性连接而形成于半导体基板(41)之主表面。n^+扩散层(8b)与p型扩散层(6b)构成发生齐纳累崩之pn接合，发生齐纳累崩之pn接合与电场氧化膜(7)离开。由此可制成具备不会产生漏电流而可正常动作之突波保护电路之半导体装置。 |
