发明名称 晶圆处理装置及晶圆处理方法
摘要 本发明揭示一种晶圆处理方法,其包含以下步骤:藉由黏附于该晶圆底面之一切割胶带,将其正面上具有一表面保护胶带黏附其上之一晶圆的全部固定至一框架上;以紫外线照射该晶圆之切割胶带;及从该晶圆之正面拆卸该表面保护胶带,其中利用该紫外线照射部分以紫外线照射该切割胶带之一照射操作及利用该拆卸部分拆卸该表面保护胶带之一拆卸操作的发生顺序系根据利用该紫外线照射部分执行一紫外线照射操作前后该表面保护胶带之黏着力及该切割胶带之黏着力之间的关系来决定;及揭示一种用于执行该方法的晶圆处理装置。该装置进一步包含读取及辨识设置在该晶圆及该框架之至少其中之一上之一辨识标志的一辨识部分。因此,即可决定一紫外线照射操作及一表面保护胶带拆卸操作的发生顺序。
申请公布号 TW200504805 申请公布日期 2005.02.01
申请号 TW093115810 申请日期 2004.06.02
申请人 东京精密股份有限公司 发明人 川岛勇
分类号 H01L21/00;H01L21/30 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本