发明名称 研磨构件
摘要 一种研磨构件,此研磨构件系由一研磨盘、一研磨衬垫与一研磨垫所组成。研磨衬垫系配置于研磨盘上,研磨垫系配置于研磨衬垫上,其中研磨衬垫系以一第一表面与研磨垫接触,且研磨衬垫系以一第二表面与研磨盘接触,其特征在于第一表面与第二表面的其中之一系为一凹凸表面。
申请公布号 TWI227521 申请公布日期 2005.02.01
申请号 TW092131624 申请日期 2003.11.12
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 蔡腾群;许加融;余志展;李振仲
分类号 H01L21/304;B24B37/04 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种研磨构件,包括: 一研磨盘; 一研磨衬垫,配置于该研磨盘上;以及 一研磨垫,配置于该研磨衬垫上, 其中该研磨衬垫系以一第一表面与该研磨垫接触, 且该研磨衬垫系以一第二表面与该研磨盘接触,并 且至少该第一表面与该第二表面的其中之一系为 一凹凸表面。 2.如申请专利范围第1项所述之研磨构件,其中该凹 凸表面系由复数条沟槽与复数个凸状结构所构成 。 3.如申请专利范围第2项所述之研磨构件,其中该些 沟槽的图案系包括直条形、十字形、同心圆形、 螺旋形以及包含直条形、十字形、同心圆形与螺 旋形之复合型态其中之一。 4.如申请专利范围第1项所述之研磨构件,其中该第 一表面与该第二表面系同时为该凹凸表面。 5.如申请专利范围第1项所述之研磨构件,其中该研 磨垫包括砂布式研磨垫。 6.一种研磨构件,包括: 一研磨盘; 一研磨衬垫,配置于该研磨盘上;以及 一研磨垫,配置于该研磨衬垫上, 其中该研磨衬垫系以一第一表面与该研磨垫接触, 该研磨衬垫系以一第二表面与该研磨盘接触,该研 磨垫系以一第三表面与该研磨衬垫接触,且该研磨 盘系以一第四表面与该研磨衬垫接触,并且该第一 表面、该第二表面、该第三表面以及该第四表面 的其中之一系为一凹凸表面。 7.如申请专利范围第6项所述之研磨构件,其中该第 一表面与该第二表面系同时为该凹凸表面。 8.如申请专利范围第6项所述之研磨构件,其中该凹 凸表面系由复数条沟槽与复数个凸状结构所构成 。 9.如申请专利范围第8项所述之研磨构件,其中该些 沟槽的图案系包括直条形、十字形、同心圆形、 螺旋形以及包含直条形、十字形、同心圆形与螺 旋形之复合型态其中之一。 10.如申请专利范围第6项所述之研磨构件,其中该 研磨垫包括砂布式研磨垫。 11.一种研磨盘,具有一主体,适用于与一研磨衬垫 以及一研磨整组成一研磨构件,其中该研磨盘系以 一表面与该研磨衬垫接触,并且该表面系为一凹凸 表面。 12.如申请专利范围第11项所述之研磨盘,其中该凹 凸表面系由复数条沟槽与复数个凸状结构所构成 。 13.如申请专利范围第12项所述之研磨盘,其中该些 沟槽的图案系包括直条形、十字形、同心圆形、 螺旋形以及包含直条形、十字形、同心圆形与螺 旋形之复合型态其中之一。 14.一种研磨衬垫,具有一主体,适用于与一研磨盘 以及一研磨垫组成一研磨构件,其中该研磨衬垫系 以一第一表面与该研磨垫接触,且以一第二表面与 该研磨盘接触,并且至少该第一表面与该第二表面 其中之一系为一凹凸表面。 15.如申请专利范围第14项所述之研磨衬垫,其中该 凹凸表面系由复数条沟槽与复数个凸状结构所构 成。 16.如申请专利范围第15项所述之研磨衬垫,其中该 些沟槽的图案系包括直条形、十字形、同心圆形 、螺旋形以及包含直条形、十字形、同心圆形与 螺旋形之复合型态其中之一。 17.如申请专利范围第14项所述之研磨衬垫,其中该 第一表面与该第二表面系同时为该凹凸表面。 18.一种研磨垫,具有一主体,适用于与一研磨盘以 及一研磨衬垫组成一研磨构件,其中该研磨垫系以 一表面与该研磨衬垫接触,并且该表面系为一凹凸 表面。 19.如申请专利范围第18项所述之研磨垫,其中该凹 凸表面系由复数条沟槽与复数个凸状结构所构成 。 20.如申请专利范围第19项所述之研磨垫,其中该些 沟槽的图案系包括直条形、十字形、同心圆形、 螺旋形以及包含直条形、十字形、同心圆形与螺 旋形之复合型态其中之一。 21.如申请专利范围第18项所述之研磨垫,其中该研 磨垫包括砂布式研磨垫。 图式简单说明: 第1图所绘示为习知一种研磨构件的剖面示意图。 第2图所绘示为依照本发明一较佳实施例之一种研 磨构件的剖面示意图。 第3A图至第3D图所绘示为第2图中之沟槽形状的示 意图。 第4图所绘示为第2图之研磨构件实际应用于浅沟 渠隔离结构之氧化矽的研磨制程的剖面示意图。 第5图所绘示为在使用具有不同粗糙度研磨衬垫之 研磨构件的情况下,对于氧化矽/氮化矽研磨速率 的影响的示意图。 第6图所绘示为依照本发明另一较佳实施例之一种 研磨构件的剖面示意图。 第7图所绘示为依照本发明另一较佳实施例之一种 研磨构件的剖面示意图。 第8图所绘示为依照本发明另一较佳实施例之一种 研磨构件的剖面示意图。 第9图所绘示为依照本发明另一较佳实施例之一种 研磨构件的剖面示意图。 第10图所绘示为在使用具有不同粗糙度研磨盘之 研磨构件的情况下,对于氧化矽/氮化矽研磨速率 的影响的示意图。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号
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