| 主权项 |
1.一种应用于多工分波之共振腔元件阵列,系于一 基板建立具有不同波长之复数个氧化局限型共振 腔元件,其特征在于:该氧化局限型共振腔元件之 磊晶结构中含有一选择性氧化结构,该选择性氧化 结构系包含一个以上之砷化铝镓(AlxGal-xAs)氧化调 整层,系于氧化制程中使部分该砷化铝镓(AlxGal-xAs) 氧化调整层中的砷化铝镓于氧化之后形成氧化铝 镓(AlGaO),以改变砷化铝镓(AlxGal-xAs)氧化调整层之 部分区域的折射率与厚度,并由于每一该氧化局限 型共振腔元件的砷化铝镓(AlxGal-xAs)氧化调整层的 选择性氧化程度不同,因而改变每一该氧化局限型 共振腔元件的共振波长进而达到多波长的目的。 2.如申请专利范围第1项所述之应用于多工分波之 共振腔元件阵列,其中该选择性氧化结构系为于每 一该氧化局限型共振腔元件建立不同尺寸的一上 方平台结构,该上方平台结构系含有一层以上之该 砷化铝镓(AlxGal-xAs)氧化调整层。 3.如申请专利范围第1项所述之应用于多工分波之 共振腔元件阵列,其中该氧化局限型共振腔元件的 波长改变量系由该选择性氧化结构所含之该砷化 铝镓(AlxGal-xAs)氧化调整层的层数、厚度与组成来 决定。 4.如申请专利范围第1项所述之应用于多工分波之 共振腔元件阵列,其中该基板系为一砷化镓基板。 5.一种应用于多工分波之共振腔元件阵列的制造 方法,其步骤包含有: 提供一基板; 于该基板表面形成复数个氧化局限型共振腔元件, 每一该氧化局限型共振腔元件之磊晶结构中含有 一选择性氧化结构,该选择性氧化结构系包含一个 以上之砷化铝镓(AlxGal-xAs)氧化调整层; 氧化该氧化局限型共振腔元件,使部分该砷化铝镓 (AlxGal-xAs)氧化调整层中的砷化铝镓于氧化之后形 成氧化铝镓(AlGaO),以改变砷化铝镓(AlxGal-xAs)氧化 调整层之部分区域的折射率与厚度,并由于每一该 氧化局限型共振腔元件之砷化铝镓(AlxGal-xAs)氧化 调整层的选择性氧化程度不同,以改变每一该氧化 局限型共振腔元件的共振波长,形成应用于多工分 波之共振腔元件阵列。 6.如申请专利范围第5项所述之应用于多工分波之 共振腔元件阵列的制造方法,其中该如申请专利范 围第1项所述之应用于多工分波之共振腔元件阵列 ,其中该选择性氧化结构系为于每一该氧化局限型 共振腔元件建立不同尺寸的一上方平台结构,该上 方平台结构系含有一层以上之该砷化铝镓(AlxGal- xAs)氧化调整层。 7.如申请专利范围第5项所述之应用于多工分波之 共振腔元件阵列的制造方法,其中该氧化局限型共 振腔元件的波长改变量系由该选择性氧化结构所 含之该砷化铝镓(AlxGal-xAs)氧化调整层的层数、厚 度与组成来决定。 8.如申请专利范围第5项所述之应用于多工分波之 共振腔元件阵列的制造方法,其中该基板系为一砷 化镓基板。 9.如申请专利范围第5项所述之应用于多工分波之 共振腔元件阵列的制造方法,其中该氧化局限型共 振腔元件系选自共振腔侦测器(resonant cavity photodetector, RCPD)、面射型雷射(vertical-cavity surface emitting laser, VCSEL)和共振腔发光二极体(resonant cavity light emitting diode, RCLED)其中之一。 图式简单说明: 第1图为三种波长元件之阵列结构示意图。 |
