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电解式遮罩铬膜之蚀刻制程方法
摘要
一种电解式遮罩铬膜之蚀刻制程方法,包含以下步骤:于基底上形成一铬膜材质之薄膜;于薄膜上形成图样光阻遮罩而构成一待蚀刻装置;将该待蚀刻装置沈置于一电解溶液;将该薄膜与一电源之正极电接触;将该电解溶液与该电源之负极电接触;实施电解反应;以及将该待蚀刻装置自该电解溶液中取出。
申请公布号
TW200504867
申请公布日期
2005.02.01
申请号
TW092119595
申请日期
2003.07.17
申请人
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 SEMICONDUCTORMANUFACTURING INTERNATIONAL (SHANGHAI) CORP. 中国
发明人
唐光亚
分类号
H01L21/3063
主分类号
H01L21/3063
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
中国
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