| 主权项 |
1.一种铁电记忆体装置,其包含: 一第一切换电晶体,其闸极耦合至一正的字线,且 其源极和汲极分别耦合于一位元线以及一第一节 点之间; 一铁电电容器,耦合于该第一节点以及一平板线之 间; 一第二切换电晶体,其闸极耦合至一负的字线,且 其源极和汲极分别耦合至该第一节点以及平板线 之间; 其中一在第二切换电晶体之源极和平板线接触之 第二节点形成于位于二相邻负的字线之间的主动 区域上;以及 该铁电电容器形成于主动区域上。 2.如申请专利范围第1项之铁电记忆体装置,其中主 动区域做得宽,以防止第二节点之电阻发生。 3.如申请专利范围第1项之铁电记忆体装置,其中正 的字线以及负的字线,其彼此平行放置者,通过一 场氧化区域,且二个正的字线是被二个负的字线所 围绕;以及 位元线接触于主动区域,其是由二个正的字线以及 二个场氧化区域所围绕且通过场氧化区域。 4.如申请专利范围第3项之铁电记忆体装置,其中铁 电电容器与主动区域接触,其位于由正的字线,负 的字线以及二个场氧化区域经由一接线所围绕之 部份上。 图式简单说明: 图1为一传统铁电记忆体装置中之单位胞元之接线 图,其只显示二个单位胞元,其之每一个包括一切 换电晶体以及一铁电电容器; 图2为一图形化表示,显示一记忆体单元之结构,其 已于申请案中提出; 图3为一用以实现图2中所显示之记忆体单元之概 要布局; 图4A至4D为根据本发明之一较佳实施例之铁电记忆 体装之布局的图形化表示;以及 图5为一沿着图4D中之线A-A'所取的截面图。 |
