| 发明名称 |
LOW-VOLTAGE NVM DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF TO DECREASE VOLTAGE SUPPLIED IN PROCESS FOR PROGRAMMING AND ERASING FLASH MEMORY DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR100470987(B1) |
申请公布日期 |
2005.02.01 |
| 申请号 |
KR19970041803 |
申请日期 |
1997.08.28 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
KIM, JIN U;HAN, JEONG UK |
| 分类号 |
H01L27/10;H01L27/115;(IPC1-7):H01L27/10 |
主分类号 |
H01L27/10 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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