发明名称 VOLTAGE BOOSTING CIRCUIT TO IMPROVE CHARACTERISTIC OF EEPROM CELL WHILE PREVENTING REAR PART OF VOLTAGE BOOSTING CIRCUIT FROM BEING DAMAGED
摘要
申请公布号 KR100470991(B1) 申请公布日期 2005.02.01
申请号 KR19970053200 申请日期 1997.10.17
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 LEE, HEUNG U
分类号 H01L27/10;(IPC1-7):H01L27/10 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人
主权项
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