| 发明名称 |
METHOD OF FABRICATING A POLYSILICON CAPACITOR UTILIZING FET AND BIPOLAR BASE POLYSILICON LAYERS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
SG108241(A1) |
申请公布日期 |
2005.01.28 |
| 申请号 |
SG20010001030 |
申请日期 |
2001.02.22 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
DOUGLAS DUANE COOLBAUGH;GREGORY GOWER FREEMAN;SESHADRI SUBBANNA |
| 分类号 |
H01L21/331;H01L21/02;H01L21/822;H01L21/8234;H01L21/8249;H01L27/04;H01L27/06;H01L29/73;H01L29/737;(IPC1-7):H01L21/822;H01L27/08 |
主分类号 |
H01L21/331 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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