发明名称 Verfahren zum Herstellen einer Kontaktschicht auf einem Halbleiterkörper
摘要
申请公布号 CH515615(A) 申请公布日期 1971.11.15
申请号 CH19700016619 申请日期 1970.11.09
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 WEISKE,WOLFGANG,DR.;BEDNORZ,KLAUS
分类号 H01L21/00;H01L21/288;(IPC1-7):H01L7/34 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人
主权项
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