摘要 |
Ein FeRAM-Speicherchip umfaßt ein Array 5 nichtflüchtiger Ferrokondensatorspeicherzellen zum Speichern von Daten. Eingangsanschlüsse empfangen zu speichernde Daten und Adressendaten, die angeben, wo in dem Array von Speicherzellen die Daten gespeichert werden sollen. Der FeRAM-Speicherchip enthält ferner eine Rücksetzeinheit 7 zum Erkennen eines extern angelegten Rücksetzsignals. Die Rücksetzeinheit 7 leitet bei Erkennung des Rücksetzsignals eine Rücksetzoperation ein, bei der mindestens ein Teil der in den Speicherzellen gespeicherten Daten auf vorbestimmte Werte gesetzt wird.
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