发明名称 FeRAM memory device
摘要 Ein FeRAM-Speicherchip umfaßt ein Array 5 nichtflüchtiger Ferrokondensatorspeicherzellen zum Speichern von Daten. Eingangsanschlüsse empfangen zu speichernde Daten und Adressendaten, die angeben, wo in dem Array von Speicherzellen die Daten gespeichert werden sollen. Der FeRAM-Speicherchip enthält ferner eine Rücksetzeinheit 7 zum Erkennen eines extern angelegten Rücksetzsignals. Die Rücksetzeinheit 7 leitet bei Erkennung des Rücksetzsignals eine Rücksetzoperation ein, bei der mindestens ein Teil der in den Speicherzellen gespeicherten Daten auf vorbestimmte Werte gesetzt wird.
申请公布号 DE102004019230(A1) 申请公布日期 2005.01.27
申请号 DE200410019230 申请日期 2004.04.16
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 WOHLFAHRT, JOERG;JOACHIM, HANS-OLIVER
分类号 G11C7/20;G11C11/14;G11C11/22;(IPC1-7):G11C11/14 主分类号 G11C7/20
代理机构 代理人
主权项
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