Programmierbare Schwachschreibtestmodus-(PWWTM-) Vorspannungserzeugung mit Voreinstellungsmodus mit logisch hoher Ausgabe

摘要

Die vorliegende Erfindung verwendet eine Vorspannungsspannung, die eine auswählbare Größe aufweist, um einen Schwachschreib-Herunterzieh-Transistor in einen Schreibtreiber eines statischen Direktzugriffsspeicherarrays (SRAM-Arrays) vorzuspannen. Ein Vorspannungserzeuger mit programmierbarem schwachem Schreibtestmodus (PWWTM) umfaßt ein Ausgangssignal, das ein logisch hoher Zustand in einem Voreinstellungsmodus ist, wenn ein WWTM nicht aktiv ist. Wenn der WWTM aktiv ist, ist das Erzeugerausgangssignal die Vorspannungspannung, die eine auswählbare Größe aufweist. Der logisch hohe Zustand des Voreinstellungsmodus wird aktiv beibehalten, wenn der Erzeugerausgang mit einer Last verbunden ist, wie z. B. dem Schreibtreiber des SRAM-Arrays. Ein WWTM-fähiges SRAM-System umfaßt den PWWTM-Vorspannungserzeuger. Ein Verfahren zum Treiben eines WWTM-fähigen SRAM umfaßt das Erzeugen und Anlegen des Ausgangssignals an ein Gate eines Schwachschreib-Herunterzieh-Transistors des SRAM-Array-Schreibtreibers in dem Voreinstellungsmodus und dem WWTM.