| 摘要 |
Ein Verfahren, welches einen Halbleiterwafer ausreichend präzise entlang einer Straße durch eine Verwendung eines Laserstrahls unterteilen kann, während vollständig eine Kontamination von Schaltungen vermieden oder unterdrückt wird, die in rechteckigen Bereichen auf der Fläche bzw. Oberseite des Halbleiterwafers ausgebildet sind, und ohne daß eine Span- bzw. Abfallbildung an den rechteckigen Bereichen auf der Oberseite bewirkt wird. Ein Laserstrahl wird von außerhalb bzw. neben einer Rückseite und der Oberseite eines Halbleitersubstrats aufgebracht und auf der anderen Rückseite und der Oberseite des Halbleitersubstrats oder in der Nachbarschaft davon fokussiert, um teilweise wenigstens einen Bereich, der von der anderen Rückseite und der Oberseite des Halbleitersubstrats reicht, bis zu einer vorbestimmten Tiefe zu verschlechtern bzw. zu beschädigen. |
