| 发明名称 | 半导体压力传感器 | ||
| 摘要 | 一种半导体压力传感器(semiconductor pressuresensor)。该半导体压力传感器包含有一非单晶硅基底；一可动的隔膜(diaphragm)；至少一压电电阻(piezoresistor)，设于该隔膜上；一支承构件(supporter)，设于该非单晶硅基底上，用来固定该隔膜的两端，使得该隔膜与该非单晶硅基底之间形成一凹穴(cavity)；以及一薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)控制电路，电连接于该隔膜与该压电电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN1571183A | 申请公布日期 | 2005.01.26 |
| 申请号 | CN03147271.0 | 申请日期 | 2003.07.11 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 杨健生 |
| 分类号 | H01L49/00;H01L41/00;H01L27/00;B81B7/00;G01L9/00 | 主分类号 | H01L49/00 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体压力传感器(semiconductor pressure sensor)，其包含有：一非单晶硅基底；一可动的绝缘隔膜(diaphragm)；至少一压电电阻(piezoresistor)，设于该绝缘隔膜上；一绝缘支承构件(supporter)，设于该非单晶硅基底上，用来固定该绝缘隔膜的两端，使得该绝缘隔膜与该非单晶硅基底之间形成一凹穴(cavity)，以及一薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)控制电路，设于该非单晶硅基底上，并电连接于该绝缘隔膜与该压电电阻。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||