通过气相淀积制备单晶的设备和方法

摘要

一种方法和装置，以在足以生产优选数个厘米长度晶体的生长速率和时间周期内，气相生长SiC，第III族－氮化物或它们的合金的单晶。本发明的另一个目的是控制生长着的晶体的直径。为了防止在单晶生长区域下游附近的表面上形成不希望的多晶淀积物，通过引入含有至少一种卤族元素或所述卤素和氢种类的组合的独立气体流，以降低生长材料的至少一种组分的本位过饱和度。

主权项

1.一种生长a)碳化硅、b)第III族-氮化物或c)它们的合金中的一种单多晶型、化合物大单晶的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：在包括籽晶的加热生长室中，提供至少含有化合物晶体元素的蒸气物质的混合物，所述提供方式是，穿过所述晶体生长表面的上游开口将该元素的至少一种连续地喂入室中，在所述晶体生长表面的下游提供独立的开口以除去剩余的蒸气物质的连续流，该蒸气物质在得到所述晶体生长的条件下没有淀积，提供至少含有一种卤族元素的附加气体流，所述提供的方式是，加热所述的气体流并减少所述晶体生长表面下游的固相淀积速率。